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前言
第1章 碳化硅器件概述
 1.1 碳化硅器件简介
  1.1.1 半导体器件发展史
  1.1.2 碳化硅材料特性
  1.1.3 碳化硅MOSFET应用概述
 1.2 半导体基本知识
  1.2.1 能带
  1.2.2 载流子
  1.2.3 单极型器件和双极型器件
  1.2.4 PN结特性
 1.3 芯片结构
  1.3.1 平面栅
  1.3.2 沟槽栅
 1.4 未来展望
  1.4.1 芯片技术
  1.4.2 封装技术
 1.5 本章小结
 参考文献
第2章 功率器件封装基础
 2.1 器件封装基本结构
  2.1.1 塑封器件结构
  2.1.2 功率模块结构
 2.2 电学基础
  2.2.1 寄生电阻
  2.2.2 寄生电感
  2.2.3 寄生电容
 2.3 热学基础
  2.3.1 热学基本量
  2.3.2 热传递方式
  2.3.3 热网络模型
 2.4 本章小结
 参考文献
第3章 静动态特性
 3.1 基本知识
  3.1.1 等效电路
  3.1.2 工作区
 3.2 稳态特性
  3.2.1 导通稳态
  3.2.2 关断稳态
  3.2.3 第三象限导通状态
 3.3 动态特性
  3.3.1 寄生电容模型
  3.3.2 开通过程
  3.3.3 关断过程
  3.3.4 关键指标
  3.3.5 测试方法
  3.3.6 信号测量方法
 3.4 本章小结
 参考文献
第4章 短路及串并联特性
 4.1 短路特性
  4.1.1 短路类型
  4.1.2 短路电流
  4.1.3 短路可靠性影响因素
  4.1.4 短路测试方法
 4.2 并联特性
  4.2.1 静态行为
  4.2.2 动态行为
  4.2.3 电流失衡度
 4.3 串联特性
  4.3.1 静态行为
  4.3.2 动态行为
  4.3.3 动态/静态耦合效应
  4.3.4 电压失衡度
  4.3.5 串联/并联特性对比
 4.4 安全工作区
  4.4.1 正向偏置安全工作区
  4.4.2 反向偏置安全工作区
 4.5 本章小结
 参考文献
第5章 应用问题及解决方法
 5.1 电流变化率
  5.1.1 影响因素分析
  5.1.2 电压过冲
  5.1.3 共源电感
 5.2 电压变化率
  5.2.1 电流过冲
  5.2.2 含去耦电容的开关振荡
  5.2.3 无去耦电容的电路等效模型
  5.2.4 串扰噪声和栅极振荡
 5.3 本章小结
 参考文献
第6章 栅极驱动
 6.1 栅极驱动结构
  6.1.1 基本结构
  6.1.2 栅极驱动等效电路
  6.1.3 关键参数
 6.2 关键部件
  6.2.1 信号隔离
  6.2.2 驱动电源
  6.2.3 缓冲放大电路
 6.3 保护及状态检测
  6.3.1 短路保护
  6.3.2 欠电压闭锁
  6.3.3 有源米勒钳位
  6.3.4 结温监测
  6.3.5 防直通保护及硬件死区
 6.4 驱动电路设计
  6.4.1 关键参数选择
  6.4.2 栅极驱动电路设计要点及案例分析
 6.5 本章小结
 参考文献
第7章 新型栅极驱动
 7.1 开关速度控制基本思路
 7.2 有源栅极驱动基本方法
  7.2.1 可变驱动电阻法
  7.2.2 可变驱动电流法
  7.2.3 可变驱动电压法
 7.3 有源栅极驱动的控制策略
  7.3.1 开环控制
  7.3.2 直接反馈控制
  7.3.3 间接反馈控制
  7.3.4 时序控制策略
 7.4 有源栅极驱动的应用
  7.4.1 应用鲁棒性提升
  7.4.2 长期可靠性提升
  7.4.3 器件并联均流
  7.4.4 器件串联均压
 7.5 本章小结
 参考文献
后折页
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