高级检索结果页
欢迎来到工程科技数字图书馆
登录 | 注册
 
您当前的位置:图书 > 6G应用下的16nm FinFET毫米波电路设计

6G应用下的16nm FinFET毫米波电路设计

本书主要探讨从平面CMOS技术向FinFET技术演进过程中给毫米波电路设计带来的影响。本书介绍了实现工作在90~170GHz频段的高性能毫米波电路的一些特定技术和设计实践。首先,深入探讨了基本的有源器件和无源元件;接着,讨论了基于FinFET器件的CMOS工艺用于频率产生的诸多技术挑战;然后,讨论了采用FinFET技术实现毫米波功率放大器的基础知识;最后,讨论了100GHz以上毫米波功率放大器的效率问题,并由此引出了一种具有改进的功率回退效率和线性度的新型功率放大器拓扑结构。

封面
前折页
书名页
版权页
译者序
前言
目录
第1章 引言
 1.1 迈向6G移动网络
 1.2 下一步:基于FinFET的CMOS工艺实现毫米波
 1.3 本书概览
 参考文献
第2章 毫米波设计中的基本元器件
 2.1 有源器件
  2.1.1 fT和fmax:毫米波晶体管的品质因数
  2.1.2 缩比效应:FinFET中的毫米波特性
  2.1.3 晶体管版图与毫米波性能
 2.2 无源元件
  2.2.1 电容器
  2.2.2 电感器
  2.2.3 变压器
  2.2.4 传输线
 2.3 毫米波电路的基本设计方法
  2.3.1 电容中和型毫米波放大器
  2.3.2 毫米波互连线的设计
 2.4 结论
 参考文献
第3章 毫米波频率生成
 3.1 压控振荡器基础
  3.1.1 相位噪声简介
  3.1.2 频率调谐
 3.2 本振架构与毫米波发展趋势
 3.3 深度微缩技术在毫米波频段的挑战
 3.4 基于变压器的四阶谐振器
 3.5 设计实例:基波振荡器
  3.5.1 交叉耦合对
  3.5.2 谐振器设计
  3.5.3 测试结果
 3.6 设计实例:谐波振荡器
  3.6.1 基本原理
  3.6.2 设计方案
  3.6.3 输出缓冲器
  3.6.4 测试结果
 3.7 结论
 参考文献
第4章 功率放大器
 4.1 概述
 4.2 功率放大器基础
  4.2.1 增益与功率
  4.2.2 效率
  4.2.3 功率放大器的线性度
  4.2.4 功率放大器的分类与偏置
  4.2.5 深度微缩技术给毫米波应用带来的挑战
 4.3 设计实例:以16nm FinFET实现的A类双通道功率合成D波段功率放大器
  4.3.1 16nm FinFET晶体管的设计
  4.3.2 功率放大器的组成
  4.3.3 测试结果
 4.4 结论
 参考文献
第5章 带有增强型功率放大器的D波段直接变频发射机
 5.1 效率提升技术
  5.1.1 常见的效率提升技术
  5.1.2 顺序功率放大器
  5.1.3 小结
 5.2 动态偏置线性化技术
  5.2.1 AM-AM补偿
  5.2.2 AM-PM补偿
 5.3 设计实例:带有增强型功率放大器的直接变频发射机
  5.3.1 动态偏置增强型功率放大器
  5.3.2 I/Q调制与本振产生
 5.4 测试结果与讨论
  5.4.1 功率放大器测试结果
  5.4.2 发射机测试结果
 5.5 结论
 参考文献
后折页
封底

机工科技数字图书馆