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前言
第1章 LED基本原理、参数与特性
 1.1 光谱、光子和半导体内的光学过程
  1.1.1 光子、光谱、黑体辐射、白光和人类视觉
  1.1.2 半导体内的激子
  1.1.3 半导体内的光吸收
  1.1.4 半导体内的光发射
  1.1.5 宽光谱和光转换
 1.2 半导体LED材料
  1.2.1 半导体材料、分类和晶体结构
  1.2.2 极化特性
  1.2.3 缺陷和掺杂
 1.3 pn结和异质结构
  1.3.1 pn结基本结构和特性
  1.3.2 pn结载流子输运
  1.3.3 异质结/量子阱有源区结构
 1.4 LED芯片中的电致发光
  1.4.1 LED基本特性
  1.4.2 高效率LED设计要素
  1.4.3 典型的白光LED技术路线
  1.4.4 高效率紫外LED关键问题
 1.5 LED芯片的光提取
  1.5.1 LED芯片的外形优化
  1.5.2 表面粗化和图形化衬底
  1.5.3 倒装芯片
 1.6 小结
 参考文献
第2章 LED材料制备方法与检测技术
 2.1 外延技术的基本原理
  2.1.1 薄膜成核生长热力学
  2.1.2 薄膜的生长模式
  2.1.3 薄膜成核生长动力学
  2.1.4 衬底对外延生长的影响
  2.1.5 外延中的掺杂
 2.2 LED的外延生长技术
  2.2.1 MOCVD外延生长技术
  2.2.2 分子束外延技术
  2.2.3 其他外延技术
 2.3 LED相关检测技术
  2.3.1 XRD测量方法
  2.3.2 光致发光谱
  2.3.3 扫描电子显微镜
  2.3.4 透射电子显微镜
  2.3.5 原子力显微镜
  2.3.6 霍尔测量
  2.3.7 电容-电压测量方法
 2.4 小结
 参考文献
第3章 AlGaInP黄红光LED外延芯片设计与制造技术
 3.1 AlGaInP与AlGaAs材料体系
 3.2 AlGaInP黄红光LED芯片及外延结构设计
  3.2.1 黄红光LED的发展历史
  3.2.2 黄红光LED的芯片结构设计类型
  3.2.3 黄红光LED外量子效率的影响因素
 3.3 具有DBR结构的AlGaInP红光LED外延、芯片制造技术
  3.3.1 红光外延机理
  3.3.2 具有DBR的AlGaInP红光LED外延
  3.3.3 具有DBR的AlGaInP红光LED芯片制造
 3.4 具有全方位反射镜的AlGaInP黄红光LED外延、芯片制造技术
  3.4.1 具有全方位反射镜LED的外延生长技术
  3.4.2 晶圆键合技术
  3.4.3 表面粗化技术
  3.4.4 具有全方位反射镜LED的芯片制备工艺
 3.5 倒装AlGaInP红光LED制造技术
  3.5.1 透明键合技术
  3.5.2 浅粗化技术
  3.5.3 红光Mini LED芯片的电极结构
  3.5.4 倒装红光LED的芯片制备工艺
 3.6 红光Micro LED外延、芯片制造技术
  3.6.1 红光Micro LED的尺寸效应
  3.6.2 Micro LED内部电流扩展
  3.6.3 Micro LED的温度效应
  3.6.4 Micro LED的侧面效应
  3.6.5 红光Micro LED的芯片制备工艺
 3.7 小结
 参考文献
第4章 InGaN蓝绿光LED外延芯片设计与制造技术
 4.1 衬底技术
 4.2 GaN外延生长
 4.3 InGaN蓝绿光LED外延结构设计
  4.3.1 衬底
  4.3.2 缓冲层
  4.3.3 3D层
  4.3.4 2D层
  4.3.5 n-GaN
  4.3.6 初级阻挡层
  4.3.7 MQW层
  4.3.8 低温P层
  4.3.9 电子阻挡层
  4.3.10 高温P层
  4.3.11 欧姆接触层
 4.4 InGaN蓝绿光LED外延制造技术
  4.4.1 翘曲
  4.4.2 n-GaN厚度
  4.4.3 2D层轻掺杂Si
  4.4.4 n-AlGaN
  4.4.5 n-GaN SL
  4.4.6 极化与MQW设计
  4.4.7 量子阱周期厚度
  4.4.8 量子阱界面处理与结晶质量
  4.4.9 V形坑
  4.4.10 电子阻挡层的演变
  4.4.11 HTP凹形掺杂
  4.4.12 ESD电容模型
  4.4.13 ESD电阻模型
  4.4.14 整体性考虑问题
 4.5 InGaN蓝绿光LED芯片结构
  4.5.1 正装LED芯片结构
  4.5.2 倒装LED芯片结构
  4.5.3 垂直LED芯片结构
  4.5.4 高压LED芯片结构
 4.6 InGaN蓝绿光LED芯片制造
  4.6.1 光刻工艺
  4.6.2 蒸镀工艺
  4.6.3 刻蚀工艺
  4.6.4 沉积工艺
  4.6.5 清洗工艺
  4.6.6 退火工艺
  4.6.7 研磨抛光工艺
 4.7 InGaN蓝绿光LED芯片光效提升技术
  4.7.1 透明导电层
  4.7.2 侧壁腐蚀
  4.7.3 表面粗化
  4.7.4 分布式布拉格反射镜
  4.7.5 反射电极
  4.7.6 激光隐形切割
  4.7.7 表面等离激元
 4.8 小结
 参考文献
第5章 InGaN基长波长LED
 5.1 InGaN基长波长LED的背景和应用
 5.2 InGaN基长波长高效LED面临的主要技术挑战
  5.2.1 点缺陷
  5.2.2 应力与极化
  5.2.3 局域化
  5.2.4 其他重要问题
 5.3 InGaN基长波长LED的关键技术
  5.3.1 衬底技术
  5.3.2 应力缓冲层
  5.3.3 可控V形坑技术
  5.3.4 其他关键技术
 5.4 长波长μLED与显示技术
 5.5 小结
 参考文献
第6章 AlGaN紫外LED外延芯片设计与制造技术
 6.1 紫外LED的基本结构
 6.2 Al（Ga）N模板材料质量提升技术
  6.2.1 AlN单晶衬底
  6.2.2 生长模式调制
  6.2.3 纳米图形侧向外延技术
  6.2.4 高温退火技术
 6.3 AlGaN的n型掺杂技术
  6.3.1 Si的激活能与施主补偿
  6.3.2 高效n型掺杂技术
 6.4 AlGaN的p型掺杂技术
  6.4.1 短周期超晶格掺杂技术
  6.4.2 组分渐变极化诱导掺杂技术
  6.4.3 非平衡量子点掺杂技术
  6.4.4 隧穿结
 6.5 量子结构设计
  6.5.1 多量子阱结构设计
  6.5.2 电子阻挡层技术
 6.6 高效光提取技术
  6.6.1 台面侧壁反射镜技术
  6.6.2 出光面修饰技术
  6.6.3 构筑微纳米结构
  6.6.4 光子晶体
  6.6.5 薄膜型器件
 6.7 小结
 参考文献
第7章 LED芯片新结构与新技术
 7.1 LED芯片新结构设计与制造技术
  7.1.1 结构设计
  7.1.2 制造技术
 7.2 偏振发光LED芯片
  7.2.1 LED发光偏振特性
  7.2.2 线偏振发光LED/Micro LED芯片
  7.2.3 圆偏振发光LED芯片
  7.2.4 偏振发光LED芯片应用
 7.3 谐振腔LED芯片
  7.3.1 谐振腔LED芯片研究现状
  7.3.2 谐振腔LED发光远场分布和光谱展宽
  7.3.3 谐振腔结构设计
  7.3.4 谐振腔LED芯片制备和性能
  7.3.5 谐振腔LED应用
 7.4 定向辐射LED芯片
  7.4.1 定向辐射实现方法和Meta-Surface简述
  7.4.2 定向辐射LED设计和性能分析
  7.4.3 定向辐射LED芯片制备
  7.4.4 定向辐射LED芯片应用
 7.5 柔性LED芯片
  7.5.1 基于转移印制的柔性LED
  7.5.2 垂直结构柔性LED
  7.5.3 金属衬底生长柔性LED
  7.5.4 插入层柔性LED
  7.5.5 柔性LED的应用
 7.6 其他LED芯片新结构与新技术
  7.6.1 Core-Shell LED
  7.6.2 金字塔垂直结构LED
  7.6.3 新型白光LED
  7.6.4 其他新结构与新技术
 7.7 小结
 参考文献
第8章 LED器件封装与测试技术
 8.1 LED器件封装设计
  8.1.1 LED封装功能
  8.1.2 LED封装光学设计
  8.1.3 LED封装热学设计
  8.1.4 LED封装电学设计
  8.1.5 LED封装防硫化设计
 8.2 LED器件封装材料
  8.2.1 LED封装支架
  8.2.2 LED固晶材料
  8.2.3 LED引线键合
  8.2.4 LED灌封胶
  8.2.5 LED荧光粉
  8.2.6 LED用量子点发光材料
  8.2.7 LED光学透镜/反光杯
 8.3 LED器件封装结构
  8.3.1 SMD封装结构
  8.3.2 COB封装结构
  8.3.3 CSP封装结构
  8.3.4 灯丝型封装结构
  8.3.5 其他类型封装结构
 8.4 白光LED器件封装技术
  8.4.1 白光发光原理与实现形式
  8.4.2 白光LED封装工艺
  8.4.3 大功率白光LED封装技术
  8.4.4 可调全光谱白光LED封装技术
  8.4.5 量子点白光LED封装技术
 8.5 Micro LED器件封装技术
  8.5.1 巨量转移技术
  8.5.2 色彩转换技术
  8.5.3 单色Micro LED封装技术
  8.5.4 全彩Micro LED封装技术
 8.6 紫外LED器件封装技术
  8.6.1 耐受紫外封装材料
  8.6.2 全无机气密封装结构
  8.6.3 紫外LED封装工艺
 8.7 LED器件测试技术
  8.7.1 LED器件特征参数
  8.7.2 LED器件测试标准
  8.7.3 LED器件测试方法
 8.8 小结
 参考文献
第9章 LED器件热特性
 9.1 LED的温度特性
  9.1.1 LED电学特性与温度的关系
  9.1.2 LED光学特性与温度的关系
  9.1.3 LED光电特性与温度的关系
  9.1.4 LED色度学特性与温度的关系
  9.1.5 温度对LED光源可靠性的影响
 9.2 LED的结温与热阻测试方法
  9.2.1 LED的结温、热阻及相关测试模型
  9.2.2 红外热像仪法测量LED的结温与热阻
  9.2.3 光谱法测量LED的结温与热阻
  9.2.4 电学法测量LED的结温与热阻
 9.3 LED的热管理
  9.3.1 影响LED热特性的因素
  9.3.2 热传导能力、散热能力、热稳定性
  9.3.3 LED散热材料
  9.3.4 LED散热设计
  9.3.5 优化应用条件，提高器件的热特性
 9.4 小结
 参考文献
第10章 LED器件可靠性及加速测试模型
 10.1 LED器件可靠性测试基本原理及标准
  10.1.1 LED器件可靠性测试标准
  10.1.2 先进的流明维持寿命估算方法
 10.2 LED器件可靠性测试模型
  10.2.1 LED器件高加速极限温度应力测试
  10.2.2 LED器件加速可靠性测试
 10.3 LED器件加速可靠性测试数据统计
  10.3.1 恒定应力加速可靠性测试
  10.3.2 步进应力加速可靠性测试
  10.3.3 加速测试失效机理一致性分析
 10.4 LED系统可靠性评估模型
  10.4.1 LED子系统
  10.4.2 LED系统可靠性模型
  10.4.3 LED系统可靠性统计分析
  10.4.4 LED系统可靠性分析案例
 10.5 健康监测、机器学习和数字孪生在LED可靠性方面的应用
  10.5.1 PoF方法
  10.5.2 数据驱动方法
  10.5.3 LED的融合预测方法
  10.5.4 诊断预测方法面临的挑战和机遇
 10.6 小结
 参考文献
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