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出版说明
作者简介
译者序
原书前言
原书致谢
第1章 静电和热电物理学
 1.1 引言
 1.2 时间常数法
  1.2.1 ESD时间常数
  1.2.2 时间常数的层次结构
  1.2.3 热学时间常数
  1.2.4 热扩散
  1.2.5 绝热、热扩散的时间尺度和稳定状态
  1.2.6 电准静态场和磁准静态场
 1.3 不稳定性
  1.3.1 电气不稳定性
  1.3.2 热电不稳定性
  1.3.3 空间不稳定性与电流收缩
 1.4 击穿
  1.4.1 帕邢击穿理论
  1.4.2 汤森理论
  1.4.3 托普勒定律
 1.5 雪崩击穿
  1.5.1 空气击穿
  1.5.2 空气击穿和峰值电流
  1.5.3 空气击穿和上升时间
  1.5.4 中等离子体和微等离子体
  1.5.5 中等离子体现象
 习题
 参考文献
第2章 热电方法和ESD模型
 2.1 热电方法
  2.1.1 格林函数和镜像方法
  2.1.2 热传导方程的积分变换
  2.1.3 流势传递关系矩阵方法学
  2.1.4 可变热导率热方程
  2.1.5 Duhamel公式
 2.2 电热模型
  2.2.1 Tasca模型
  2.2.2 Wunsch-Bell模型
  2.2.3 Smith-Littau模型
  2.2.4 Arkhipov-Astvatsaturyan-Godovosyn-Rudenko模型
  2.2.5 Vlasov-Sinkevitch模型
  2.2.6 Dwyer-Franklin-Campbell模型
  2.2.7 Greve模型
  2.2.8 负微分电阻模型
  2.2.9 Ash模型
  2.2.10 统计模型
 习题
 参考文献
第3章 半导体器件和ESD
 3.1 器件物理
  3.1.1 非等温仿真
 3.2 二极管
  3.2.1 二极管方程
  3.2.2 复合和产生机制
 3.3 双极大电流器件物理
  3.3.1 双极晶体管特性方程
  3.3.2 基区扩展效应
  3.3.3 Johnson限制
 3.4 晶闸管
  3.4.1 再生反馈
 3.5 电阻
 3.6 MOSFET大电流器件物理
  3.6.1 寄生双极晶体管方程
  3.6.2 雪崩击穿和恢复
  3.6.3 不稳定和电流约束模型
  3.6.4 介质击穿
  3.6.5 栅致漏电（GIDL）
 习题
 参考文献
第4章 衬底和ESD
 4.1 衬底分析方法
 4.2 视作半无限域的衬底
 4.3 采用传输矩阵方法表征层状介质的衬底
 4.4 衬底传输线模型
 4.5 衬底损耗的传输线模型
 4.6 衬底吸收、反射和传输
 4.7 衬底电气和温度离散化
 4.8 衬底效应：电气传输阻抗
 4.9 衬底效应：热传输阻抗
 4.1 0衬底温度阻抗模型
  4.10.1 可变横截面模型
  4.10.2 可变椭圆横截面模型
  4.10.3 背面衬底集总分析模型
 4.11 重掺杂衬底
 4.12 轻掺杂衬底
 习题
 参考文献
第5章 阱、衬底集电极和ESD
 5.1 扩散阱
 5.2 倒阱及纵向调制阱
  5.2.1 倒阱
  5.2.2 倒阱衬底调制
  5.2.3 倒阱及ESD缩放
 5.3 三阱及隔离MOSFET
 5.4 镇流电阻
 5.5 衬底集电极
 习题
 参考文献
第6章 隔离结构和ESD
 6.1 隔离结构
  6.1.1 局部氧化隔离
  6.1.2 局部氧化界ESD结构
 6.2 浅槽隔离
  6.2.1 浅槽隔离下拉
  6.2.2 浅槽隔离界ESD结构
 6.3 深槽隔离
  6.3.1 深槽保护环结构
  6.3.2 深槽及闩锁
  6.3.3 深槽及ESD结构
 习题
 参考文献
第7章 漏工程、自对准硅化物与ESD
 7.1 结
  7.1.1 突变结
  7.1.2 轻掺杂漏
  7.1.3 扩展注入
 7.2 自对准硅化物及ESD
  7.2.1 自对准硅化物电阻模型
  7.2.2 硅化钛
  7.2.3 钛、钼金属硅化物
  7.2.4 硅化钴
 习题
 参考文献
第8章 电介质与ESD
 8.1 Fong和Hu模型
 8.2 Lin模型
 8.3 击穿电荷
 8.4 临界介质厚度
 8.5 ESD脉冲事件与击穿电荷介电模型
 8.6 瞬时脉冲事件与击穿电荷介电模型
 8.7 超薄介质
 习题
 参考文献
第9章 互连和ESD
 9.1 铝互连
 9.2 铜互连
  9.2.1 铜通孔
 9.3 低k材料和互连
 9.4 抛光终止和互连
 9.5 填充物和互连
 9.6 铜薄膜应力和电迁移
 9.7 互连失效和空洞
 9.8 绝缘结构机械应力
 习题
 参考文献
第10章 绝缘体上硅（SOI）与ESD
 10.1 SOI电热模型
  10.1.1 SOI电热传输线模型
  10.1.2 SOI电热传输线模型级数解
 10.2 SOIESD二极管及元件
  10.2.1 突变结工艺
  10.2.2 外延注入工艺
  10.2.3 Halo注入工艺
 10.3 SOI互连线
  10.3.1 铝互连线
  10.3.2 SOI和铜互连
  10.3.3 等比例缩放
 10.4 非主流器件
  10.4.1 双衬底掺杂的SOI二极管
  10.4.2 栅金属未覆盖SOI二极管结构
 10.5 SOI动态阈值MOSFET与ESD
  10.5.1 SOI动态阈值ESD结构
 10.6 未来的SOI及ESD
 习题
 参考文献
第11章 硅锗（SiGe）与ESD
 11.1 SiGe
  11.1.1 SiGe结构
  11.1.2 SiGe器件物理
 11.2 SiGeESD测试
  11.2.1 SiGe与Si的比较
  11.2.2 SiGe电热模拟：集电极-发射极
  11.2.3 SiGe发射器-发射极-基极
 11.3 SiGeC
  11.3.1 SiGeC器件物理
 11.4 SiGeCESD测试
  11.4.1 SiGeC集电极-发射极测试
  11.4.2 SiGeC器件退化
 习题
 参考文献
第12章 微结构与ESD
 12.1 鳍式场效应晶体管（FinFET）
 12.2 应变硅器件与ESD
 12.3 纳米管与ESD
 12.4 未来新器件
 习题
 参考文献
封底