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译者序
缩写词表
第1章 引言
 参考文献
第2章 理论基础
 2.1 刻蚀工艺的重要性能指标
  2.1.1 刻蚀速率（ER）
  2.1.2 刻蚀速率不均匀性（ERNU）
  2.1.3 选择性
  2.1.4 轮廓
  2.1.5 关键尺寸（CD）
  2.1.6 线宽粗糙度和线边缘粗糙度（LWR和LER）
  2.1.7 边缘放置误差（EPE）
  2.1.8 深宽比相关刻蚀（ARDE）
 2.2 物理吸附和化学吸附
 2.3 解吸
 2.4 表面反应
 2.5 溅射
 2.6 注入
 2.7 扩散
 2.8 三维形貌中的输运现象
  2.8.1 中性粒子输运
  2.8.2 离子输运
  2.8.3 反应产物输运
 2.9 刻蚀技术的分类
 参考文献
第3章 热刻蚀
 3.1 热刻蚀的机理和性能指标
  3.1.1 刻蚀速率和ERNU
  3.1.2 选择性
  3.1.3 轮廓和CD控制
  3.1.4 ARDE
 3.2 应用示例
 参考文献
第4章 热各向同性ALE
 4.1 热各向同性ALE机制
  4.1.1 螯合/缩合ALE
  4.1.2 配体交换ALE
  4.1.3 转化ALE
  4.1.4 氧化/氟化ALE
 4.2 性能指标
  4.2.1 刻蚀速率（EPC）
  4.2.2 ERNU（EPC非均匀性）
  4.2.3 选择性
  4.2.4 轮廓和ARDE
  4.2.5 CD控制
  4.2.6 表面光滑度
 4.3 等离子体辅助热各向同性ALE
 4.4 应用示例
  4.4.1 区域选择性沉积
  4.4.2 横向器件的形成
 参考文献
第5章 自由基刻蚀
 5.1 自由基刻蚀机理
 5.2 性能指标
  5.2.1 刻蚀速率和ERNU
  5.2.2 选择性
  5.2.3 轮廓和ARDE
  5.2.4 CD控制
 5.3 应用示例
 参考文献
第6章 定向ALE
 6.1 定向ALE机制
  6.1.1 具有定向改性步骤的ALE
  6.1.2 具有定向去除步骤及化学吸附和扩散改性的ALE
  6.1.3 具有定向去除步骤和通过反应层沉积进行改性的ALE
 6.2 性能指标
  6.2.1 刻蚀速率（EPC）
  6.2.2 ERNU（EPC非均匀性）
  6.2.3 选择性
  6.2.4 轮廓和ARDE
  6.2.5 表面平整度和LWR/LER
 6.3 应用示例
  6.3.1 具有定向改性步骤的ALE
  6.3.2 具有定向去除步骤及化学吸附和扩散改性的ALE
  6.3.3 具有定向去除步骤和通过反应层沉积进行改性的ALE
 参考文献
第7章 反应离子刻蚀
 7.1 反应离子刻蚀机制
  7.1.1 同时发生的物种通量
  7.1.2 化学溅射
  7.1.3 混合层形成
  7.1.4 刻蚀产物的作用
 7.2 性能指标
  7.2.1 刻蚀速率
  7.2.2 ERNU
  7.2.3 ARDE
  7.2.4 选择性
  7.2.5 轮廓控制
   7.2.5.1 侧壁钝化
   7.2.5.2 刻蚀物种的选择
   7.2.5.3 温度
  7.2.6 CD控制
  7.2.7 表面光滑度
  7.2.8 LWR/LER
 7.3 应用示例
  7.3.1 图案化
   7.3.1.1 自对准图案化
   7.3.1.2 极紫外（EUV）光刻
  7.3.2 逻辑器件
   7.3.2.1 Fin刻蚀
   7.3.2.2 栅极刻蚀
   7.3.2.3 侧墙刻蚀
   7.3.2.4 接触孔刻蚀
   7.3.2.5 BEOL刻蚀
  7.3.3 DRAM和3D NAND存储器
   7.3.3.1 DRAM电容单元刻蚀
   7.3.3.2 高深宽比3D NAND刻蚀
  7.3.4 新兴存储
   7.3.4.1 相变存储器（PCM）
   7.3.4.2 ReRAM
 参考文献
第8章 离子束刻蚀
 8.1 离子束刻蚀的机理和性能指标
 8.2 应用示例
 参考文献
第9章 刻蚀物种产生
 9.1 低温等离子体概述
 9.2 电容耦合等离子体
 9.3 电感耦合等离子体
 9.4 离子能量分布调制
 9.5 等离子体脉冲
 9.6 格栅源
 参考文献
第10章 新兴刻蚀技术
 10.1 电子辅助化学刻蚀
 10.2 光子辅助化学刻蚀
 参考文献
后折页
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